Средний слой биполярного транзистора называется

Биполярный транзистор – это полупроводниковый прибор с двумя p-n–переходами, имеющий три вывода. Действие биполярного транзистора основано на использовании носителей заряда обоих знаков (дырок и электронов), а управление протекающим через него током осуществляется с помощью управляющего тока.

Биполярный транзистор является наиболее распространенным активным полупроводниковым прибором.

Устройство транзистора. Биполярный транзистор в своей основе содержит три слоя полупроводника (p-n-p или n-p-n) и соответственно два p-n –перехода. Каждый слой полупроводника через невыпрямляющий контакт металл-полупроводник подсоединен к внешнему выводу.

Средний слой и соответствующий вывод называют базой, один из крайних слоев и соответствующий вывод называют эмиттером, а другой крайний слой и соответствующий вывод – коллектором.

На рис. 3.1,а показано схематическое, упрощенное изображение структуры транзистора типа n-p-n и два допустимых варианта условного графического обозначения (рис. 3.1,б).

Транзистор p-n-p устроен аналогично, упрощенное изображение его структуры дано на рис. 3.2, а. Более простой вариант условного графического обозначения – на рис. 3.2,б.

Транзистор называют биполярным, так как в процессе протекания электрического тока участвуют носители электричества двух знаков – электроны и дырки. Но в различных типах транзисторов роль электронов и дырок различна. Транзисторы типа n-p-n более распространены в сравнении с транзисторами типа p-n-p, так как обычно имеют лучшие параметры. Это можно объяснить тем, что основную роль в электрических процессах в транзисторах типа n-p-n играют электроны, а транзисторах типа p-n-p – дырки. Электроны же обладают подвижностью в два-три раза большей, чем дырки.

Рис. 3.1. Структура транзистора типа n-p-n (а)

и его графическое обозначение (б)

Рис. 3.2.Структура транзистора типа p-n-p (а)

и его графическое обозначение (б)

Важно отметить, что реально площадь коллекторного перехода значительно больше площади эмиттерного перехода, так как такая несимметрия значительно улучшает свойства транзистора.

Количественные особенности структуры транзистора. В основе работы биполярного транзистора типа n-p-n лежат те же физические процессы, которые рассмотрены при изучении полупроводникового диода. Особенности транзистора определяются особенностями его конструкции.

Основными элементами транзистора являются два соединенных p-n перехода. Это позволяет дать формальное представление структуры транзистора, показанное на рис. 3.3. Для понимания принципа работы транзистора исключительно важно учитывать, что p-n–переходы транзистора сильно взаимодействуют. Это означает, что ток одного перехода сильно влияет на ток другого, и наоборот. Именно это взаимодействие радикально отличает транзистор от схемы с двумя диодами (рис. 3.4).

Рис. 3.3. Структура транзистора Рис. 3.4. Схема с двумя диодами

В схеме с диодами ток каждого диода зависит от напряжения на нем самом и никак не зависит от тока другого диода.

Указанное взаимодействие имеет исключительно простую главную причину: очень малое расстояние между переходами транзистора (от 20 – 30 мкм до 1 мкм и менее). Это расстояние называют толщиной базы. Именно эта количественная особенность структуры создает качественное своеобразие транзистора.

Три схемы включения биполярного транзистора с ненулевым сопротивлением нагрузки. Транзисторы часто применяют для усиления переменных сигналов (которые при расчетах обычно считают синусоидальными), при этом в выходной цепи транзистора применяется нагрузка с ненулевым сопротивлением.

Во входной цепи, кроме источника постоянного напряжения, необходимого для обеспечения активного режима работы, также используют источник входного переменного напряжения. Представим три характерные схемы включения транзистора.

Схема с общей базой (ОБ) (рис. 3.5). Если сопротивление нагрузки достаточно велико, то амплитуда переменной составляющей напряжения uвых значительно больше амплитуды напряжения uвх. Учитывая, что , можно утверждать, что схема не обеспечивает усиления тока, но усиливает напряжение. Входной ток такой схемы достаточно большой, а соответствующее входное сопротивление мало.

Рис. 3.5. Схема включения транзистора с общей базой (ОБ)

Рис. 3.6. Схема включения транзистора с общим эмиттером (ОЭ)

Схема с общим эмиттером (ОЭ) (рис. 3.6). Так как , а при достаточно большом сопротивлении Rн амплитуда переменной составляющей напряжения uвых значительно больше амплитуды напряжения uвх, следовательно, схема обеспечивает усиление и тока, и напряжения.

Входной ток схемы достаточно мал, поэтому входное сопротивление больше, чем у схемы с общей базой.

Схема с общим коллектором (ОК) (рис. 3.7). При определении переменных составляющих токов и напряжений источники постоянного напряжения u1 и u2 заменяют закоротками (закорачивают).

Рис. 3.7. Схема включения транзистора с общим коллектором (ОК)

После этого к коллектору оказываются подключенными и источник входного напряжения uвх, и сопротивление нагрузки. Отсюда и название – схема с общим коллектором.

Напряжение uбэ и особенно его переменная составляющая достаточно малы, поэтому амплитуда переменной составляющей напряжения uвх примерно равна амплитуде переменной составляющей напряжения uвых. Поэтому схемы с общим коллектором называют эмиттерным повторителем.

Учитывая, что , можно отметить, что схема усиливает ток, но не усиливает напряжение.

Схема отличается повышенным входным сопротивлением, так как при увеличении входного напряжения увеличению входного тока препятствует увеличение как напряжения uбэ, так и напряжения uвых.

На практике наиболее часто используется схема с общим эмиттером.

Транзисторы подразделяют на две большие подгруппы – биполярные и полевые. Они обычно используются для усиления, генерации и преобразования электрических сигналов. В 1956 г. за изобретение биполярного транзистора Уильям Шокли, Джон Бардин и Уолтер Браттейн получили Нобелевскую премию по физике.

БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ.

Биполярный транзистор — это полупроводниковый прибор с двумя p-n -переходами, имеющий три вывода. Действие биполярного транзистора основано на использовании носителей заряда обоих знаков (дырок и элект­ронов), а управление протекающим через него током осу­ществляется с помощью управляющего тока.

Биполярный транзистор является наиболее распространенным активным полупроводниковым прибором.

Устройство транзистора. Биполярный транзистор в своей основе содержит три слоя полупроводника (р-n-р или n-р-n) и соответственно два p-n -перехода. Каждый слой полупроводника через невыпрямляющий контакт металл-полупроводник подсоединен к внешнему выводу.

Средний слой и соответствующий вывод называют базой, один из крайних слоев и соответствующий вывод на­зывают эмиттером, а другой крайний слой и соответству­ющий вывод — коллектором.

Дадим схематическое, упрощенное изображение струк­туры транзистора типа n-р-n (рис. 1, а) и два допусти­мых варианта условного графического обозначения (рис. 1, б). Транзистор типа р-n-р устроен аналогично. При этом "стрелочка" эмиттера будет напрвлена в противоположном направлении – в сторону базы. Стрелки эмиттеров показывают направление токов через транзистор.

Читайте также:  Как снять клепки с металла

Рис. 1. Cхематическое изображение струк­туры транзистора

Транзистор называют биполярным, так как в процессе протекания электрического тока участвуют носители элект­ричества двух знаков — электроны и дырки. Но в различных типах транзисторов роль электронов и дырок различна.

Транзисторы типа n-р-n более распространены в сравнении с транзисторами типа р-n-р, так как обычно имеют луч­шие параметры. Это объясняется следующим образом: ос­новную роль в электрических процессах в транзисторах типа n-р-n играют электроны, а в транзисторах р-n-р — дыр­ки. Электроны же обладают подвижностью в два-три раза большей, чем дырки.

Важно отметить, что реально площадь коллекторного перехода значительно больше площади эмиттерного перехода, так как такая несимметрия значительно улучшает свойства транзистора.

Количественное своеобразие структуры транзистора. Для определенности обратимся к транзистору типа n-р-n. В основе работы биполярного транзистора лежат не какие-либо новые физические процессы, еще не рассмотренные при изучении полупроводникового диода: своеобразие транзистора определяется особенностями его конструкции.

Основными элементами транзистора являются два соединенных pn -перехода. Это позволяет дать формальное представление структуры транзистора, представленное на рис. 2, а.

Для понимания принципа работы транзистора исключительно важно учитывать, что pn -переходы транзисто­ра сильно взаимодействуют. Это означает, что ток одного перехода сильно влияет на ток другого, и наоборот. Имен­но это взаимодействие радикально отличает транзистор от схемы с двумя диодами (рис. 2, б).

Рис.2. Структура транзистора.

В схеме с диодами ток каждого диода зависит только от напряжения на нем самом и никак не зависит от тока другого диода.

Указанное взаимодействие имеет исключительно простую главную причину, а именно: очень малое расстояние между переходами транзистора. Это расстояние называют толщиной базы. Именно эта количественная особенность структуры создает ка­чественное своеобразие транзистора.

Вообще полезно отметить, что в электронике достаточно часто реализуется следующий способ получения устрой­ства, обладающего новым качеством: особым образом со­единяют два одинаковых, уже хорошо изученных элемента.

Основные физические процессы. Концентрация атомов примеси (и свободных электронов) в эмиттере сравнительно велика, поэтому этот слой низкоомный. Концен­трация атомов примеси (и дырок) в базе сравнительно низка, поэтому этот слой высокоомный. Концентрация атомов примеси (и свободных электронов) в коллекторе может быть как больше концентрации атомов примеси в базе, так и меньше ее. С помощью источников напряжения сместим эмиттерный переход в прямом, а коллекторный — в обратном направлении (рис. 3). Тогда через эмиттерный переход потечет ток Iэ, который будет обеспечиваться главным образом инжекцией электронов из эмиттера в базу. Инжекция дырок из базы в эмиттер будет незначительной вследствие указанного выше различия в концентрациях атомов примесей.

Рис.3. Физические процессы в транзисторе.

Из-за малой толщины базы почти все электроны, пройдя базу, через так называемое время пролета достигают коллектора. Только малая доля электронов рекомбинирует в базе с дырками. Убыль этих дырок компенсируется протеканием тока базы iэ. Из изложенного следует, что iб « iэ.

Обратное смещение коллекторного перехода способ­ствует тому, что электроны, подошедшие к нему, захваты­ваются электрическим полем перехода и переносятся в коллектор. В то же время это поле препятствует переходу электронов из коллектора в базу. Ток коллектора iK лишь незначительно меньше тока эмиттера, т. е. iK= iЭ.

где аст так называемый статический коэффициент передачи эмиттерного тока (термин статический подчеркивает тот факт, что этот коэффициент связывает по­стоянные токи); Iко — так называемый обратный ток коллектора. Природа обратного тока коллектора такая же, как и у обратного тока диода (т. е. тока диода, включенного в об­ратном направлении). Ток Iко протекает и тогда, когда ток эмиттера равен нулю.

Работа транзистора. Поскольку биполярные транзисторы состоят из двух p-n -переходов, то проверку целостности транзистора можно осуществить, контролируя сопротивление этих переходов при прямом и обрат­ном подключении напряжения к ним. Транзистор n-р-n проверяется по сопротивлениям переходов.

Для нормальной работы n-р-n -транзистора требуется положительное напряжение на коллектор. Базовый переход открывается положительным напряжением. Базовый ток вызывает появление коллекторного тока (рис. 4, а). При отрицательном напряжении в базе транзистор закрывается. Если плавно менять напряжение Uб, то ток Iб меняется, как показано на рис. 4, б. Если дискретно задавать значения Iб1, Iб2 и т.д. и плавно менять напряжение UK, то получим семейство коллекторных (выходных) характеристик (рис. 4, в).

Для нормаль­ной работы р-n-p -транзистора требуется отрицательное напряжение на коллекторе. Открывается базовый переход отрицательным напряжением (рис. 4, г). При положительном напряжении в базе транзистор закрывается. Если плавно менять напряжение Uб, то ток Iб меняется, как показано на рис. 4, д. Если дискретно задавать значении Iб1, Iб2 и т. д. и плавно менять напряжение UK, то получим семейство кол­лекторных (выходных) характеристик (рис. 4, е).

Рис. 4. Входные и выходные характеристики транзисторов.

В усилительных схемах транзисторы могут применяться в двух режимах: в схеме с обшей базой (рис. 5, а) и в схеме с обшим эмиттером (рис. 5, б). Во входной цепи, кроме источника постоянного напря­жения, необходимого для обеспечения активного режима работы, также используют источник входного переменно­го напряжения. Изобразим две характерные схемы вклю­чения транзистора.

Рис. 5. Схемы включения транзистора.

  • Схемас общей базой (ОБ)(рис. 5.а). Если сопротивле­ние нагрузки достаточно велико, то амплитуда перемен­ной составляющей напряжения иыхзначительно больше амплитуды напряжения ивх. Учитывая, что iвых=iвх, можно утверждать, что схема не обеспечивает усиления тока, но усиливает напряжение. Входной ток такой схемы доста­точно большой, а соответствующее входное сопротивле­ние малое.
  • Схема с общим эмиттером (ОЭ)(рис. 5.б). Так как iвых » iвх, а при достаточно большом сопротивлении Rн, амплитуда переменной составляющей напряжения ивыхзна­чительно больше амплитуды напряжения ивх, следователь­но, схема обеспечивает усиление и тока, и напряжения.Входной ток схемы достаточно мал, поэтому входное сопротивление больше, чем у схемы с общей базой.
  • Схема с общим коллектором(ОК)эквивалентна схеме с обшим эмиттером и по-этому не нашла широкого применения (за исключением эмиттерных повторителей). Само напряжение ибэ и особенно переменная состав­ляющая этого напряжения достаточно малы, поэтому амплитуда переменной составляющей напряжения ивхпримерно равна амплитуде переменной составляющей на­пряжения ивых. В соответствии с этим усилительные кас­кады, в которых транзисторы включены по схеме с общим коллектором, называют эмиттерными повторителями. Учитывая также, что iвx « iвых, отмечают, что схема уси­ливает ток, но не усиливает напряжение.
Читайте также:  Ручной фрезерный станок по металлу

На практике, для построения большинства устройств, наиболее часто используется схема с общим эмиттером.

Полевым или униполярным транзистором называется транзистор, в котором управление происходит под действием электрического поля перпендикулярного току. На схемах их обозначают, как показано на рисунке ниже:

,

где: З- затвор, И- исток, С- сток.

Проводящий слой, по которому протекает ток, называется каналом. Различают р- и n-канальные транзисторы. Каналы могут быть приповерхностными и объемными, горизонтальными и вертикальными. Пример полевого транзистора с n – p переходом и n- каналом приведен на рис. 6.

Рис. 6. Полевой транзистор: а -конструкция транзистора; б- структура кристалла.

В свою очередь приповерхностные каналы делятся на обогащенные или обедненные но­сителями, либо инверсионные слои. Их формирует внешнее электрическое поле. Обед­ненные каналы представляют собой участки однородного полупроводника, отделенные от поверхности обедненным слоем.

На рис. 7 приведены схемы каналов в полевых транзисторах. Транзисторы с при­поверхностным каналом имеют структуру металл диэлектрик полупроводник (МДП). Такие транзисторы принято называть МДП-транзисторами. Если диэлектриком является диоксид кремния SiO2, то используется название МОП-транзисторы. Транзисторы с объ­емным каналом получили название полевых транзисторов.

Рис. 7. Каналы в униполярных транзисторах: а- приповерхностный n- канал; б- объемный p- канал,

1 — обедненный слой.

Таким образом, работа полевого транзистора представляется следующим образом: сила проходящего через него тока регулируется внешним электрическим полем, т.е напряжением. Это принципиальное различие между ним и биполярным транзистором, где сила основного тока регулируется управляющим током (рис.8).

Рис. 9. Принцип действия полевого и биполярного транзисторов.

Поэтому ВАХ полевого транзистора обратно эквивалентна ВАХ биполярного. Более наглядно это показано на рисунке 9. При увеличении значения Uзи происходит постепенное закрытие проводящего канала.

Рис. 9. Сравнительная выходная ВАХ полевого (а) и биполярного (б) транзисторов.

Краткое описание транзисторов, диаграммы, схемы включения и h-параметры можно скачать здесь Транзисторы Биполярные и Полевые (шпаргалка и h-параметры).doc (431 kB)

Биполярный транзистор состоит из трех слоев полупроводника с чередующимися типами проводимости: n-p-n или p-n-p (на рис 1.19 приведена структура биполярного транзистора типа n-p-n). На границах слоев с разным типом проводимости образуются два встречновключенных p-n-перехода (эмиттерный и коллекторный), потенциальные барьеры которых создаются ионизированными атомами примесей (“+” и “-“ на рис. 1.19). У реального транзистора один из крайних слоев (эмиттер) имеет гораздо большую концентрацию примеси по сравнению с другим крайним слоем и является источником подвижных носителей заряда, тогда как второй крайний слой (коллектор) отличается гораздо большей площадью p-n-перехода, что позволяет ему более эффективно собирать носители заряда, инжектированные эмиттером и прошедшие средний слой, называемый базой. Чтобы уменьшить в базе вероятность рекомбинации носителей заряда,

перемещающихся из эмиттера в коллектор, базу делают сравнительно высокоомной (с низкой концентрацией примеси) и узкой.

В зависимости от полярности внешних источников питания различают четыре режима работы биполярного транзистора: активный режим, режим двойной инжекции, режим отсечки и инверсный режим. В активном режиме работы (рис.1.20,а) напряжение между эмиттером и базой () является прямым, а между коллектором и базой () – обратным, поэтому эмиттерный переход открыт, а коллекторный закрыт. Под действием прямого напряжения основные носители заряда (здесь – электроны) из эмиттера переходят в базу, где они становятся неосновными носителями, для которых закрытый коллекторный переход не является препятствием, поэтому они свободно переходят в коллектор, создавая во внешней цепи коллекторный ток (направление положительного тока противоположно движению электронов), при этом только очень небольшая часть носителей заряда успевает рекомбинировать в базе, образуя основную составляющую тока базы . Другая составляющая () образуется неосновными носителями (дырками) коллектора (собственные неосновные носители заряда базы не играют существенной роли, поскольку их в высокоомной базе немного). Этот небольшой ток протекает также и в коллекторной цепи в составе тока :

В выражении (1.2) коэффициент передачи тока эмиттера показывает какая часть приращения тока эмиттера передается в коллектор:

Учитывая, что ток эмиттера равен сумме токов коллектора и базы, т.е.

выражение для тока базы можно записать в таком виде:

Поскольку , ток базы составляет только незначительную часть тока эмиттера.

Закрытый коллекторный переход имеет сравнительно большую ширину и расположен преимущественно в базе как более высокоомном слое. Поэтому увеличение обратного напряжения приводит к уменьшению эффективной ширины базы, что, во-первых, уменьшает вероятность рекомбинации носителей в базе, а во-вторых, понижает потенциальный барьер эмиттерного перехода (основные носители заряда базы сдвигаются в сторону эмиттерного перехода, частично нейтрализуя заряды ионов p-n-перехода). Изменение ширины базы и ее свойств под действием обратного коллекторного напряжения называется эффектом модуляции ширины базы (эффектом Эрли).

Изменяя в небольших пределах напряжение , можно значительно изменять ток эмиттера , а значит, и ток коллектора , т.е. управлять большой мощностью в выходной цепи (напряжение в активном режиме может быть большим), затрачивая сравнительно небольшую мощность во входной цепи (цепи эмиттер-база) – в этом и проявляются усилительные свойства биполярного транзистора.

В режиме двойной инжекции (режиме насыщения) напряжения и прямые (рис. 1.20,б) и оба p-n-перехода открыты, при этом крайние слои выполняют как функции эмиттеров, инжектируя носители заряда (здесь – электроны) в базу, так и функции коллекторов, собирая носители заряда, прошедшие базу. Обозначив ток, образованный электронами эмиттера, через , а ток, образованный электронами коллектора, через , запишем выражения для внешних токов:

где – инверсный коэффициент передачи тока.

Поскольку структура реального биполярного транзистора асимметрична (площадь коллекторного перехода больше площади эмиттерного перехода, а слой коллектора высокоомнее слоя эмиттера), . При равенстве внешних напряжений составляющие тока коллектора примерно равны, поэтому близок к нулю. При уменьшении прямого напряжения от значения модуль составляющей уменьшается, поэтому увеличивается ток , причем резко, поскольку он равен разности двух составляющих. Подстановка (1.4) в (1.3) дает следующее выражение для тока базы:

Читайте также:  Рамка фрезером своими руками

подтверждающее тот факт, что базовый ток в режиме двойной инжекции равен сумме двух токов рекомбинации.

В режиме отсечки оба p-n-перехода закрыты под действием обратных напряжений и , вследствие чего через переходы протекают только небольшие неуправляемые токи неосновных носителей заряда.

Если к коллекторному переходу приложить прямое напряжение, а к эмиттерному обратное, то поменяются роли у коллектора и эмиттера (инверсный режим работы), и транзистор будет работать в активном режиме, но не так эффективно из-за конструктивной асимметрии транзистора.

Биполярные транзисторы подразделяются на диффузионные и дрейфовые. В названиях “диффузионные” и “дрейфовые” отражается механизм движения носителей заряда через базу: диффузия под действием градиента концентрации носителей заряда и дрейф под действием градиента электрического потенциала. У дрейфовых транзисторов за счет неравномерной концентрации примеси в базе создается электрическое поле, ускоряющее движение носителей заряда через базу, что увеличивает коэффициент передачи эмиттерного тока и граничную частоту. В микросхемах в основном используются дрейфовые транзисторы.

Биполярный транзистор описывается семействами входных и выходных вольт-амперных характеристик, т.е. зависимостями входного тока от входного напряжения при постоянном выходном напряжении и зависимостями выходного тока от выходного напряжения при постоянном входном токе. Для схемы с общей базой, когда входной и выходной источники напряжения имеют общий зажим на базе (рис. 1.20,а и б) семейства входных и выходных ВАХ, т.е.

приведены на рис. 1.20,в и г. Вне зависимости от типа транзистора (n-p-n или p-n-p), т.е. вне зависимости от истинной полярности входных и выходных напряжений, основную часть характеристик размещают в первом квадранте, откладывая справа от оси токов значения прямых напряжений (входные ВАХ) и значения обратных напряжений (выходные ВАХ).

Входная характеристика при (коллекторный переход закорочен) – это характеристика диода, составленного из эмиттерного p-n-перехода и соответствующих областей полупроводника. При подаче на коллекторный переход обратного напряжения база сужается и потенциальный барьер эмиттерного перехода уменьшается (эффект модуляции ширины базы), поэтому эмиттерный ток увеличивается при неизменном напряжении , что и является причиной смещения входной ВАХ влево относительно характеристики при . Дальнейшее увеличение обратного напряжения смещает входную ВАХ незначительно.

Активному режиму работы транзистора соответствуют участки выходных ВАХ (рис. 1.20,г), расположенные в первом квадранте, где наблюдается только слабая зависимость тока коллектора от коллекторного напряжения, вызванная модуляцией ширины базы (при увеличении обратного напряжения база сужается, вероятность рекомбинации носителей заряда в базе уменьшается, уменьшается и ток базы, что при неизменном токе приводит, согласно (1.3), к увеличению тока коллектора ). При подаче прямого напряжения (влево от начала координат) транзистор переходит в режим двойной инжекции, когда коллекторный ток, как это следует из (1.4), равен разности двух токов, что объясняет его резкую зависимость от прямого напряжения . При протекает, как это видно из (1.2), очень незначительный тепловой ток (режим отсечки). В случае больших обратных напряжений возможен электрический пробой коллекторного перехода, а если мощность, рассеиваемая транзистором, превысит допустимую, может произойти тепловое разрушение транзистора.

Если входной и выходной источники напряжения имеют общий зажим на эмиттере транзистора (схема с общим эмиттером на рис. 1.21,а), то входным током является ток базы , а выражение коллекторного тока как функции тока базы можно получить, выполнив подстановку (1.3) в (1.2):

Здесь – коэффициент передачи базового тока; – начальный ток коллектора при , он значительно больше тока , протекающего через коллекторный переход при нулевом токе эмиттера.

Резкая зависимость тока коллектора от напряжения при малых значениях (рис. 1.21,д) вызвана тем, что на этом начальном участке транзистор работает в режиме двойной инжекции, поскольку как к эмиттерному, так и к коллекторному переходам (в последнем случае через источник ) приложено прямое напряжение . На пологом участке ВАХ (в активном режиме) зависимость от вызвана эффектом модуляции ширины базы, причем этот эффект в схеме с общим эмиттером выражен сильнее (больший наклон ВАХ), что можно объяснить следующим образом. При увеличении обратного напряжения , приложенного к коллекторному переходу через источник , база транзистора сужается, увеличивается ток эмиттера , а ток базы уменьшается. Поскольку характеристики снимаются при фиксированном токе базы, чтобы восстановить прежнее значение , требуется еще более увеличить ток , а это, согласно выражению (1.3), приводит к увеличению тока коллектора.

Поскольку при транзистор работает в режиме двойной инжекции, ток базы в этом режиме, согласно (1.5), больше тока базы при работе транзистора в активном режиме, поэтому входная характеристика при обратном проходит правее характеристики, снятой при (рис. 1.21,г). Эффект модуляции ширины базы при дальнейшем увеличении обратного напряжения проявляется слабо, поэтому все входные характеристики, снятые при обратных напряжениях , располагаются близко друг от друга.

Схемы, в которых используются транзисторы, анализируются на постоянном и переменном токе раздельно. При анализе на постоянном токе биполярный транзистор представляется в виде нелинейной физической модели Молла-Эберса, а при анализе на переменном токе, когда транзисторы работают в активном режиме, – в виде малосигнальной эквивалентной схемы (моделирующей схемы), изображенной на рис. 1.22. В этой схеме – дифференциальное сопротивление открытого эмиттерного перехода; – сумма сопротивлений активной и пассивной областей базы (= 1…200 Ом); – барьерная емкость коллекторного перехода (= 0,1…800 пФ); – дифференциальное сопротивление закрытого коллекторного перехода, моделирующее влияние на ток через эффект модуляции ширины базы (= 50…10000 кОм). Генератор тока моделирует процесс управления коллекторным током со стороны тока эмиттера ( и – малые приращения соответствующих токов и ). Зависимость от частоты описывается выражением

биполярный транзистор напряжение ток

и вызвана тем фактом, что перемещение носителей заряда через базу происходит не мгновенно, а в течение некоторого времени. В формуле (1.6) коэффициент в числителе измеряется на достаточно низкой частоте (), где он максимален. С увеличением частоты коэффициент уменьшается и на частоте становится равным . Граничная частота коэффициента передачи эмиттерного тока у разных типов биполярных транзисторов разная (от нескольких килогерц до нескольких гигагерц). Широкий диапазон приведенных выше значений параметров объясняется широкой номенклатурой биполярных транзисторов, различающихся по мощности (малой, средней, большой) и граничной частоте (низкой, высокой, сверхвысокой).

Ссылка на основную публикацию