J3y datasheet на русском

Содержание

SMD аналог транзистора S8050.

Характеристики:

Материал p-n-перехода: Si
Структура транзистора: NPN
Предельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.3 W
Предельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
Предельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзистора: 25 V
Предельное постоянное напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Предельный постоянный ток коллектора транзистора (Ic max): 0.5 A
Предельная температура p-n перехода (Tj): 150 C
Граничная частота коэффициента передачи тока (Ft) транзистора: 150 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): pF
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe), min: 120

Products
Suppliers

J3Y NPN SMD Transistor S8050

Lead Time ：3 Days

Payment : T/T,Money Order,Other

Departure Port : Shenzhen/HK

Product details

Supply Ability

Supply Ability：20000000 pieces Warranty(Year)：1 Year

Packaging & Delivery

Packaging：3000 piece

Product Specifications

Brand name：Hottech Category : Shopee>Home & Living > Lighting > Light Bulbs Brand : OEM
Lighting Type : LED Color : White —>

Product Description

Биполярный транзистор KST8050S — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: KST8050S

Тип материала: Si

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120

Корпус транзистора: SOT23

KST8050S Datasheet (PDF)

1.1. kst8050s.pdf Size:970K _kexin

SMD Type Transistors SMD Type NPN Transistors KST8050S SOT-23 Unit: mm 2.9+0.1 -0.1 +0.1 0.4-0.1 3 Features Collector Current: IC=0.5A 1 2 +0.1 +0.05 0.95 -0.1 0.1 -0.01 +0.1 1.9 -0.1 1.Base 2.Emitter 3.collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Collector-Base Voltage VCBO 40 V Collector-Emitter Voltage VCEO 25 V Emitter-Base Voltage VEBO 5

3.1. kst8050.pdf Size:1008K _kexin

SMD Type Transistors SMD Type NPN Transistors KST8050 SOT-23 Unit: mm +0.1 2.9 -0.1 0.4+0.1 -0.1 3 Features Collector Current: IC=1.5A 1 2 +0.1 +0.05 0.95 -0.1 0.1-0.01 +0.1 1.9-0.1 1.Base 2.Emitter 3.collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Collector-Base Voltage VCBO 40 V Collector-Emitter Voltage VCEO 25 V Emitter-Base Voltage VEBO 5 V

3.2. kst8050m.pdf Size:810K _kexin

SMD Type SMD Type Transistors NPN Transistors KST8050M SOT-23 Unit: mm +0.1 2.9 -0.1 +0.1 0.4-0.1 3 ■ Features ● Collector Current: IC=0.8A 1 2 +0.1 +0.05 0.95 -0.1 0.1 -0.01 +0.1 1.9 -0.1 1.Base 2.Emitter 3.collector ■ Absolute Maximum Ratings Ta = 25℃ Parameter Symbol Rating Unit Collector-Base Voltage VCBO 40 V Collector-Emitter Voltage VCEO 25 V Emitter-Bas

SMD Type Transistors SMD Type NPN Transistors KST8050D-50 SOT-23 Unit: mm +0.1 2.9 -0.1 0.4+0.1 -0.1 3 Features ● Collector Current Capability IC=1.2A ● Collector Emitter Voltage VCEO=50V 1 2 +0.1 +0.05 0.95 -0.1 0.1-0.01 +0.1 1.9-0.1 1.Base 2.Emitter 3.collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Collector-Base Voltage VCBO 50 V Collec

3.4. kst8050x.pdf Size:594K _kexin

SMD Type Transistors NPN Transistors KST8050X SOT-23 Unit: mm +0.1 2.9 -0.1 +0.1 0.4-0.1 3 ■ Features ● Collector Power Dissipation: PC=0.3W ● Collector Current: IC=1.5A 1 2 +0.1 +0.05 0.95 -0.1 0.1 -0.01 +0.1 1.9 -0.1 1.Base 2.Emitter 3.collector ■ Absolute Maximum Ratings Ta = 25℃ Parameter Symbol Rating Unit Collector-Base Voltage VCBO 40 V Collector-Emitte